Wafer Carrier Tray

Dalubhasa ang Vetek Semiconductor sa pakikipagsosyo sa mga customer nito upang makagawa ng mga custom na disenyo para sa Wafer Carrier Tray. Ang tray ng Wafer Carrier ay maaaring idisenyo para gamitin sa CVD silicon epitaxy, III-V epitaxy, at III-Nitride epitaxy, Silicon carbide epitaxy. Mangyaring makipag-ugnayan sa Vetek semiconductor tungkol sa iyong mga kinakailangan sa susceptor.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Makakatiyak kang bumili ng tray ng Wafer Carrier mula sa aming pabrika.

Ang Vetek semiconductor ay pangunahing nagbibigay ng CVD SiC coating graphite parts tulad ng wafer carrier tray para sa ikatlong henerasyong semiconductor na SiC-CVD na kagamitan, at nakatuon ito sa pagbibigay ng advanced at competitive na kagamitan sa produksyon para sa industriya. Ang kagamitang SiC-CVD ay ginagamit para sa paglago ng homogenous na single crystal thin film epitaxial layer sa silicon carbide substrate, ang SiC epitaxial sheet ay pangunahing ginagamit para sa pagmamanupaktura ng mga power device tulad ng Schottky diode, IGBT, MOSFET at iba pang elektronikong device.

Ang kagamitan ay malapit na pinagsasama ang proseso at kagamitan. Ang kagamitang SiC-CVD ay may malinaw na mga pakinabang sa mataas na kapasidad ng produksyon, 6/8 pulgadang compatibility, competitive na gastos, tuloy-tuloy na awtomatikong kontrol sa paglago para sa maraming furnace, mababang rate ng depekto, kaginhawahan sa pagpapanatili at pagiging maaasahan sa pamamagitan ng disenyo ng temperatura field control at flow field control. Kasama ng SiC coated wafer carrier tray na ibinigay ng aming Vetek Semiconductor, maaari nitong pahusayin ang kahusayan sa produksyon ng kagamitan, pahabain ang buhay at kontrolin ang gastos.

Ang wafer carrier tray ng Vetek semiconductor ay higit sa lahat ay may mataas na kadalisayan, mahusay na graphite stability, mataas na pagproseso ng katumpakan, kasama ang CVD SiC coating, mataas na temperatura katatagan: Silicon-carbide coatings ay may mahusay na mataas na temperatura katatagan at pinoprotektahan ang substrate mula sa init at kemikal na kaagnasan sa napakataas na temperatura na kapaligiran .

Hardness at wear resistance: Ang mga silicon-carbide coatings ay karaniwang may mataas na tigas, na nagbibigay ng mahusay na wear resistance at nagpapahaba ng buhay ng serbisyo ng substrate.

Corrosion resistance: Ang silicon carbide coating ay corrosion resistant sa maraming kemikal at kayang protektahan ang substrate mula sa corrosion damage.

Nabawasan ang koepisyent ng friction: Ang mga silicon-carbide coatings ay karaniwang may mababang koepisyent ng friction, na maaaring mabawasan ang pagkalugi ng friction at mapabuti ang kahusayan ng pagtatrabaho ng mga bahagi.

Thermal conductivity: Ang silicon carbide coating ay karaniwang may magandang thermal conductivity, na makakatulong sa substrate na mas mahusay na ikalat ang init at pagbutihin ang init na epekto ng mga bahagi.

Sa pangkalahatan, ang CVD silicon carbide coating ay maaaring magbigay ng maramihang proteksyon para sa substrate, pahabain ang buhay ng serbisyo nito at pagbutihin ang pagganap nito.

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating:

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating
Ari-arian	Karaniwang Halaga
Istraktura ng Kristal	FCC β phase polycrystalline, higit sa lahat (111) oriented
Densidad	3.21 g/cm³
Katigasan	2500 Vickers tigas（500g load）
Laki ng Butil	2~10μm
Kadalisayan ng Kemikal	99.99995%
Kapasidad ng init	640 J·kg-1·K-1
Temperatura ng Sublimation	2700 ℃
Flexural na Lakas	415 MPa RT 4-point
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
Thermal Conductivity	300W·m-1·K-1
Thermal Expansion(CTE)	4.5×10-6K-1