China UV LED Susceptor Manufacturer, Supplier, Factory

Ang VeTek Semiconductor ay isang tagagawa na nag-specialize sa UV LED Susceptors, may maraming taon ng pananaliksik at pagpapaunlad at karanasan sa produksyon sa LED EPI susceptors, at kinilala ng maraming customer sa industriya.

LED, iyon ay, semiconductor light-emitting diode, ang pisikal na katangian ng luminescence nito ay na pagkatapos ng semiconductor pn junction ay energized, sa ilalim ng drive ng electric potential, ang mga electron at butas sa semiconductor material ay pinagsama upang makabuo ng mga photon, upang makamit ang luminescence ng semiconductor. Samakatuwid, ang teknolohiyang epitaxial ay isa sa mga pundasyon at core ng LED, at ito rin ang pangunahing mapagpasyang kadahilanan para sa mga electrical at optical na katangian ng LED.

Ang teknolohiyang Epitaxy (EPI) ay tumutukoy sa paglago ng isang materyal na kristal sa isang kristal na substrate na may parehong pagsasaayos ng sala-sala bilang substrate. Pangunahing prinsipyo: Sa isang substrate na pinainit sa naaangkop na temperatura (pangunahin ang sapphire substrate, SiC substrate at Si substrate), ang mga gas na sangkap na indium (In), gallium (Ga), aluminum (Al), phosphorus (P) ay kinokontrol sa ibabaw ng substrate upang palaguin ang isang tiyak na solong kristal na pelikula. Sa kasalukuyan, ang teknolohiya ng paglago ng LED epitaxial sheet ay pangunahing gumagamit ng pamamaraang MOCVD (organic metal chemical meteorological deposition).

LED epitaxial substrate na materyal

1. Pula at dilaw na LED:

Ang mga GaP at GaA ay karaniwang ginagamit na mga substrate para sa pula at dilaw na mga LED. Ginagamit ang mga substrate ng GaP sa paraan ng liquid phase epitaxy (LPE), na nagreresulta sa malawak na hanay ng wavelength na 565-700 nm. Para sa pamamaraan ng gas phase epitaxy (VPE), ang mga layer ng epitaxial ng GaAsP ay pinalaki, na nagbubunga ng mga wavelength sa pagitan ng 630-650 nm. Kapag gumagamit ng MOCVD, ang mga substrate ng GaAs ay karaniwang ginagamit sa paglaki ng mga istrukturang epitaxial ng AlInGaP. Nakakatulong ito na malampasan ang mga kakulangan sa pagsipsip ng mga substrate ng GaAs, bagama't ipinakikilala nito ang mismatch ng sala-sala, na nangangailangan ng mga buffer layer para sa pagpapalaki ng mga istruktura ng InGaP at AlGaInP.

Nagbibigay ang VeTek Semiconductor ng LED EPI susceptor na may SiC coating, TaC coating:

VEECO Pula at Dilaw na LED EPI Susceptor TaC coating na ginagamit sa LED EPI susceptor

2. asul at berdeng LED:

GaN Substrate: Ang solong kristal ng GaN ay ang perpektong substrate para sa paglago ng GaN, pagpapabuti ng kalidad ng kristal, tagal ng buhay ng chip, maliwanag na kahusayan, at kasalukuyang density. Gayunpaman, ang mahirap na paghahanda nito ay naglilimita sa aplikasyon nito.

Sapphire Substrate: Ang Sapphire (Al2O3) ay ang pinakakaraniwang substrate para sa paglago ng GaN, na nag-aalok ng mahusay na katatagan ng kemikal at walang nakikitang pagsipsip ng liwanag. Gayunpaman, nahaharap ito sa mga hamon na may hindi sapat na thermal conductivity sa mataas na kasalukuyang operasyon ng power chips.

SiC Substrate: Ang SiC ay isa pang substrate na ginagamit para sa paglago ng GaN, na pumapangalawa sa market share. Nagbibigay ito ng magandang chemical stability, electrical conductivity, thermal conductivity, at walang visible light absorption. Gayunpaman, mayroon itong mas mataas na presyo at mas mababang kalidad kumpara sa sapiro. Ang SiC ay hindi angkop para sa mga UV LED na mas mababa sa 380 nm. Ang mahusay na electrical at thermal conductivity ng SiC ay nag-aalis ng pangangailangan para sa flip-chip bonding para sa pagwawaldas ng init sa mga power-type na GaN LED sa mga sapphire substrates. Ang upper at lower electrode structure ay epektibo para sa heat dissipation sa power-type na GaN LED device.

AMEC asul at berdeng LED EPI susceptor MOCVD Susceptor na may TaC Coating

3. Malalim na UV LED EPI:

Sa deep ultraviolet (DUV) LED epitaxy, deep UV LED o DUV LED Epitaxy, ang karaniwang ginagamit na mga kemikal na materyales bilang substrate ay kinabibilangan ng aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), at gallium nitride (GaN). Ang mga materyales na ito ay nagtataglay ng magandang thermal conductivity, electrical insulation, at kristal na kalidad, na ginagawang angkop ang mga ito para sa mga DUV LED application sa mga high-power at high-temperature na kapaligiran. Ang pagpili ng materyal na substrate ay nakasalalay sa mga salik tulad ng mga kinakailangan sa aplikasyon, proseso ng paggawa, at mga pagsasaalang-alang sa gastos.

SiC Coated Deep UV LED Susceptor TaC Coated Deep UV LED Susceptor