Balita

Proseso ng semiconductor: Chemical Vapor Deposition (CVD)

Ang chemical vapor deposition (CVD) sa paggawa ng semiconductor ay ginagamit upang magdeposito ng manipis na mga materyales sa pelikula sa silid, kabilang ang SiO2, SiN, atbp., at ang mga karaniwang ginagamit na uri ay kinabibilangan ng PECVD at LPCVD. Sa pamamagitan ng pagsasaayos ng temperatura, p......

Paano malutas ang problema ng sintering crack sa silicon carbide ceramics? - VeTek semiconductor

Pangunahing inilalarawan ng artikulong ito ang malawak na mga prospect ng aplikasyon ng silicon carbide ceramics. Nakatuon din ito sa pagsusuri ng mga sanhi ng sintering crack sa silicon carbide ceramics at ang mga kaukulang solusyon.

Ano ang step-controlled epitaxial growth?

Ang mga Problema sa Proseso ng Pag-ukit

Ang teknolohiya ng pag-ukit sa pagmamanupaktura ng semiconductor ay madalas na nakakaranas ng mga problema tulad ng epekto ng pag-load, epekto ng micro-groove at epekto ng pagsingil, na nakakaapekto sa kalidad ng produkto. Kabilang sa mga solusyon sa pagpapahusay ang pag-optimize ng plasma density, ......

Ano ang hot pressed SiC ceramics?

Ang hot pressing sintering ay ang pangunahing paraan para sa paghahanda ng mga high-performance na SiC ceramics. Ang proseso ng hot pressing sintering ay kinabibilangan ng: pagpili ng high-purity na SiC powder, pagpindot at paghubog sa ilalim ng mataas na temperatura at mataas na presyon, at pagkata......

Application ng carbon-based na thermal field na materyales sa silicon carbide crystal growth

Ang mga pangunahing paraan ng paglago ng Silicon carbide (SiC) ay kinabibilangan ng PVT, TSSG, at HTCVD, bawat isa ay may natatanging mga pakinabang at hamon. Ang mga materyales sa thermal field na nakabatay sa carbon tulad ng mga insulation system, crucibles, TaC coatings, at porous graphite ay nag......