Disc Receiver

Ang Vetek Semiconductor ay nagbibigay ng edge-cutting Graphite Disc Susceptor. Ang SiC coating ay nagbibigay ng superyor na thermal stability, mahusay na chemical resistance, at pinahusay na pagkakapareho ng proseso, na tinitiyak ang pinakamainam na pagganap at pagiging maaasahan. Damhin ang susunod na antas ng kahusayan at katumpakan sa Vetek Semiconductor's SiC-coated Disc Susceptor.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Graphite Disc Susceptor ng Vetek Semiconductor, isang produkto na may mataas na pagganap para sa mga advanced na proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang aming graphite disc susceptor ay idinisenyo upang matugunan ang hinihingi na mga kinakailangan ng industriya at magbigay ng pambihirang pagganap at pagiging maaasahan.

Ang Graphite Disc Susceptor na ito ay OEM para sa AIX G5 planetary reactor platform.

GaN-on-Si MOCVD ay ginagamit para sa LED epitaxial production, at ang Aixtron G5 reactor ay nagpapabuti sa ani at pagkakapareho ng MOCVD platform. Ang isang ganap na pinaikot na simetriko na pare-parehong pattern sa limang 200mm na wafer, gamit ang isang karaniwang kapal ng silicon na substrate at pagkontrol sa pag-uugali ng pagyuko ng wafer ay naging pormal kung ano ang kailangan nila para sa paggawa ng silikon.

Ang High-Purity Graphite Disc Susceptor ng Vetek Semiconductor para sa GaN-on-Si MOCVD, isang maaasahan at cost-effective na solusyon para sa mga advanced na proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor.

Ang aming high-purity graphite disc susceptor ay partikular na idinisenyo upang matugunan ang mga kinakailangan ng mga proseso ng GaN-on-Si MOCVD. Sa pambihirang thermal stability at heat resistance nito, makakayanan nito ang hinihingi na mga kondisyon ng temperatura na karaniwang mula 800°C hanggang 1100°C, na tinitiyak ang pinakamainam na pagganap sa panahon ng proseso ng pagdedeposition.

Ang high-purity graphite material na ginamit sa aming disc susceptor ay nagbibigay ng mahusay na chemical resistance, na ginagawa itong compatible sa ammonia (NH3) at mga organic na metal precursor na karaniwang ginagamit sa GaN-on-Si MOCVD. Inaalis nito ang pangangailangan para sa mga karagdagang SiC coatings, na binabawasan ang mga gastos sa produksyon nang hindi nakompromiso ang pagganap.

Ang high-purity graphite disc susceptor ng Vetek Semiconductor ay nag-aalok ng isang cost-effective na solusyon nang hindi nakompromiso ang kalidad. Ang pagiging maaasahan, tibay, at pagiging tugma nito sa mga proseso ng GaN-on-Si MOCVD ay ginagawa itong mas pinili para sa mga tagagawa ng semiconductor. Pagkatiwalaan ang Vetek Semiconductor na maghatid ng mga high-performance na graphite disc susceptor para sa iyong mga pangangailangan sa pagmamanupaktura ng GaN-on-Si MOCVD.