Crucible para sa Monocrystalline Silicon

Sa pamamaraang CZ (Czochralski), ang isang kristal ay lumago sa pamamagitan ng pagdadala ng isang monocrystalline na buto sa pakikipag-ugnay sa tinunaw na polycrystalline silicon. Ang buto ay unti-unting hinihila paitaas habang dahan-dahang iniikot. Sa prosesong ito, isang makabuluhang bilang ng mga bahagi ng grapayt ang ginagamit, na ginagawa itong paraan na gumagamit ng pinakamataas na dami ng mga bahagi ng grapayt sa paggawa ng silicon semiconductor.

Ang larawan sa ibaba ay nagbibigay ng isang eskematiko na representasyon ng isang silicon na single-crystal na manufacturing furnace batay sa pamamaraang CZ.

Ang Vetek Semiconductor's Crucible para sa Monocrystalline Silicon ay nagbibigay ng isang matatag at kontroladong kapaligiran na mahalaga para sa tumpak na pagbuo ng mga semiconductor na kristal. Ang mga ito ay nakatulong sa pagpapalaki ng mga monocrystalline silicon ingot gamit ang mga advanced na diskarte gaya ng proseso ng Czochralski at mga float-zone na pamamaraan, na mahalaga sa paggawa ng mga de-kalidad na materyales para sa mga elektronikong device.

Ininhinyero para sa pambihirang thermal stability, chemical corrosion resistance, at minimal na thermal expansion, tinitiyak ng mga crucibles na ito ang tibay at tibay. Ang mga ito ay idinisenyo upang makatiis sa malupit na kemikal na kapaligiran nang hindi nakompromiso ang integridad o pagganap ng istruktura, sa gayon ay nagpapahaba ng habang-buhay ng crucible at nagpapanatili ng pare-parehong pagganap sa matagal na paggamit.

Ang natatanging komposisyon ng Vetek Semiconductor Crucibles para sa monocrystalline silicon ay nagbibigay-daan sa kanila na makayanan ang matinding mga kondisyon ng pagproseso ng mataas na temperatura. Ginagarantiyahan nito ang pambihirang thermal stability at kadalisayan, na kritikal para sa pagproseso ng semiconductor. Pinapadali din ng komposisyon ang mahusay na paglipat ng init, nagpo-promote ng pare-parehong pagkikristal at pagliit ng mga thermal gradient sa loob ng silicon melt.

Mga kalamangan ng aming SiC Coating Susceptor:

Proteksyon sa Base Material: Ang CVD SiC coating ay nagsisilbing protective layer sa panahon ng epitaxial process, na epektibong pinoprotektahan ang base material mula sa erosion at pinsalang dulot ng panlabas na kapaligiran. Ang panukalang proteksiyon na ito ay lubos na nagpapahaba sa buhay ng serbisyo ng kagamitan.

Napakahusay na Thermal Conductivity: Ang aming CVD SiC coating ay nagtataglay ng natitirang thermal conductivity, na mahusay na naglilipat ng init mula sa base material patungo sa coating surface. Pinahuhusay nito ang kahusayan sa pamamahala ng thermal sa panahon ng epitaxy, na tinitiyak ang pinakamainam na temperatura ng pagpapatakbo para sa kagamitan.

Pinahusay na Kalidad ng Pelikula: Ang CVD SiC coating ay nagbibigay ng patag at pare-parehong ibabaw, na lumilikha ng perpektong pundasyon para sa paglago ng pelikula. Binabawasan nito ang mga depekto na nagreresulta mula sa mismatch ng sala-sala, pinahuhusay ang crystallinity at kalidad ng epitaxial film, at sa huli ay pinapabuti ang pagganap at pagiging maaasahan nito.

Piliin ang aming SiC Coating Susceptor para sa iyong mga pangangailangan sa paggawa ng epitaxial wafer, at makinabang mula sa pinahusay na proteksyon, superyor na thermal conductivity, at pinahusay na kalidad ng pelikula. Magtiwala sa mga makabagong solusyon ng VeTek Semiconductor upang himukin ang iyong tagumpay sa industriya ng semiconductor.

Mga tindahan ng produksyon:

Pangkalahatang-ideya ng chain ng industriya ng semiconductor chip epitaxy: