Silicon Carbide Cantilever Paddle

Ang Silicon Carbide Cantilever Paddle ng VeTek Semiconductor ay isang mahalagang bahagi sa proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor, lalo na angkop para sa mga diffusion furnace o LPCVD furnace sa mga prosesong may mataas na temperatura tulad ng diffusion at RTP. Ang aming Silicon Carbide Cantilever Paddle ay maingat na idinisenyo at ginawa na may mahusay na mataas na temperatura na resistensya at mekanikal na lakas, at maaaring ligtas at mapagkakatiwalaang maghatid ng mga wafer sa proseso ng tubo sa ilalim ng malupit na mga kondisyon ng proseso para sa iba't ibang mga prosesong may mataas na temperatura tulad ng diffusion at RTP. Inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Makakatiyak kang bumili ng customized na Silicon Carbide Cantilever Paddle mula sa VeTek Semiconducto. Inaasahan namin ang pakikipagtulungan sa iyo, kung gusto mong malaman ang higit pa, maaari kang sumangguni sa amin ngayon, sasagutin ka namin sa tamang oras!

Ang Silicon Carbide Cantilever Paddle ng VeTek Semiconductor ay gawa sa high-purity na silicon carbide at may mahusay na resistensya sa mataas na temperatura at lakas ng makina. Ito ay isang kailangang-kailangan na pangunahing bahagi sa proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor, lalo na sa diffusion o LPCVD furnace at mga proseso ng RTP. Tinitiyak ng tumpak na disenyo at pagmamanupaktura ng Silicon Carbide Cantilever Paddle ang ligtas na pagpoposisyon at paglilipat ng mga wafer upang matugunan ang mga kinakailangan sa proseso ng mataas na katumpakan.

Ang Silicon Carbide Cantilever Paddle ng VeTek Semiconductor ay gawa sa silicon carbide bilang pangunahing materyal. Ang Silicon carbide ay may mga katangian ng mataas na lakas at mahusay na thermal stability, kaya maaari itong mapaglabanan ang malupit na mga kondisyon sa kapaligiran ng proseso ng mataas na temperatura ng mga semiconductor furnace. Isa sa mga dahilan para sa pagpili ng silicon carbide ay dahil maaari itong umangkop sa mataas na temperatura na kapaligiran sa mga semiconductor furnace.

Ang disenyo ng Silicon Carbide Cantilever Paddle ay nagbibigay-daan sa pag-extend nito sa prosesong tubo sa furnace at maayos na maayos sa isang dulo sa labas ng tubo. Tinitiyak ng disenyong ito na ang wafer na pinoproseso ay nananatiling stable at sinusuportahan sa panahon ng proseso at pinapaliit ang interference sa thermal environment sa furnace.

Ang VeTek Semiconductor ay nakatuon sa pagbibigay ng de-kalidad na SiC cantilever paddle na mga produkto. Ang aming mga produkto ay maingat na idinisenyo at ginawa upang matugunan ang mahigpit na mga kinakailangan ng proseso ng paggawa ng semiconductor. Ang mahusay na pagganap at pagiging maaasahan ng Silicon Carbide Cantilever Paddle ay ginagawa itong isang kailangang-kailangan na pangunahing bahagi sa industriya ng semiconductor. Ang VeTek Semiconductor ay nakatuon sa pagbibigay ng mga de-kalidad na produkto sa mapagkumpitensyang presyo, at inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

Parameter ng produkto ng Silicon Carbide Cantilever Paddle

Mga pisikal na katangian ng Recrystallized Silicon Carbide
Ari-arian	Tipikal na halaga
Temperatura sa pagtatrabaho (°C)	1600°C (may oxygen), 1700°C (nagpapababa ng kapaligiran)
nilalaman ng SiC	> 99.96%
Libreng Si content	< 0.1%
Mabigat	2.60-2.70 g/cm3
Maliwanag na porosity	< 16%
Lakas ng compression	> 600 MPa
Malamig na baluktot na lakas	80-90 MPa (20°C)
Mainit na lakas ng baluktot	90-100 MPa (1400°C)
Thermal expansion @1500°C	4.70 10-6/°C
Thermal conductivity @1200°C	23 W/m•K
Elastic modulus	240 GPa
Thermal shock resistance	Napakahusay