Kung ang EPI Receiver

Ang VeTek Semiconductor ay isang pabrika na pinagsasama ang precision machining at semiconductor na SiC at TaC coating na mga kakayahan. Ang uri ng bariles na Si Epi Susceptor ay nagbibigay ng mga kakayahan sa pagkontrol sa temperatura at kapaligiran, na nagpapahusay sa kahusayan ng produksyon sa mga proseso ng paglago ng semiconductor epitaxial. Inaasahan ang pag-set up ng pakikipagtulungan sa iyo.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Ang sumusunod ay ang pagpapakilala ng mataas na kalidad na Si Epi Susceptor, umaasa na matulungan kang mas maunawaan ang Uri ng Barrel Si Epi Susceptor. Maligayang pagdating sa mga bago at lumang mga customer upang patuloy na makipagtulungan sa amin upang lumikha ng isang mas mahusay na hinaharap!

Ang Epitaxial Reactor ay isang espesyal na aparato na ginagamit para sa paglago ng epitaxial sa paggawa ng semiconductor. Ang Barrel Type Si Epi Susceptor ay nagbibigay ng kapaligiran na kumokontrol sa temperatura, atmospera at iba pang pangunahing parameter upang magdeposito ng mga bagong kristal na layer sa ibabaw ng wafer.

Ang pangunahing bentahe ng Barrel Type Si Epi Susceptor ay ang kakayahang magproseso ng maraming chips nang sabay-sabay, na nagpapataas ng kahusayan sa produksyon. Karaniwan itong mayroong maraming mount o clamp para sa paghawak ng maramihang mga wafer upang ang maramihang mga wafer ay maaaring lumaki sa parehong oras sa parehong ikot ng paglaki. Ang mataas na throughput na tampok na ito ay binabawasan ang mga ikot ng produksyon at mga gastos at pinapahusay ang kahusayan sa produksyon.

Bilang karagdagan, nag-aalok ang Barrel Type Si Epi Susceptor ng na-optimize na temperatura at kontrol sa kapaligiran. Ito ay nilagyan ng isang advanced na temperatura control system na may kakayahang tumpak na kontrolin at mapanatili ang nais na temperatura ng paglago. Kasabay nito, nagbibigay ito ng mahusay na kontrol sa kapaligiran, na tinitiyak na ang bawat chip ay lumaki sa ilalim ng parehong mga kondisyon ng kapaligiran. Nakakatulong ito upang makamit ang pare-parehong paglaki ng epitaxial layer at pagbutihin ang kalidad at pagkakapare-pareho ng epitaxial layer.

Sa Barrel Type Si Epi Susceptor, karaniwang nakakamit ng chip ang pare-parehong pamamahagi ng temperatura at paglipat ng init sa pamamagitan ng daloy ng hangin o daloy ng likido. Ang pare-parehong pamamahagi ng temperatura na ito ay nakakatulong na maiwasan ang pagbuo ng mga hot spot at gradient ng temperatura, sa gayo'y pinapabuti ang pagkakapareho ng epitaxial layer.

Ang isa pang bentahe ay ang Barrel Type Si Epi Susceptor ay nagbibigay ng flexibility at scalability. Maaari itong iakma at i-optimize para sa iba't ibang epitaxial na materyales, laki ng chip at mga parameter ng paglago. Nagbibigay-daan ito sa mga mananaliksik at inhinyero na magsagawa ng mabilis na pag-unlad ng proseso at pag-optimize upang matugunan ang mga pangangailangan ng epitaxial growth ng iba't ibang mga aplikasyon at kinakailangan.

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating:

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating
Ari-arian	Tipikal na halaga
Istraktura ng Kristal	FCC β phase polycrystalline, higit sa lahat (111) oriented
Densidad	3.21 g/cm³
Katigasan	2500 Vickers tigas（500g load）
Laki ng Butil	2~10μm
Kalinisan ng Kemikal	99.99995%
Kapasidad ng init	640 J·kg-1·K-1
Temperatura ng Sublimation	2700 ℃
Flexural na Lakas	415 MPa RT 4-point
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
Thermal Conductivity	300W·m-1·K-1
Thermal Expansion(CTE)	4.5×10-6K-1