LPE SI EPI Receptor Set

Ang VeTek Semiconductor ay isang nangungunang tagagawa at innovator ng LPE Si Epi Susceptor Set sa China. Kami ay dalubhasa sa SiC coating at TaC coating sa loob ng maraming taon. Nag-aalok kami ng LPE Si Epi Susceptor Set na partikular na idinisenyo para sa LPE PE2061S 4'' wafers. Ang pagtutugma ng antas ng graphite na materyal at SiC coating ay mabuti, ang pagkakapareho ay napakahusay, at ang buhay ay mahaba, na maaaring mapabuti ang ani ng epitaxial layer na paglaki sa panahon ng proseso ng LPE (Liquid Phase Epitaxy). Inaanyayahan ka naming bisitahin ang aming pabrika sa Tsina.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Ang VeTek Semiconductor ay isang propesyonal na tagagawa at supplier ng China LPE Si EPI Susceptor Set.

Sa magandang kalidad at mapagkumpitensyang presyo, maligayang pagdating sa pagbisita sa aming pabrika at mag-set up ng pangmatagalang pakikipagtulungan sa amin.

Ang VeTeK Semiconductor LPE Si Epi Susceptor Set ay isang high-performance na produkto na nilikha sa pamamagitan ng paglalagay ng pinong layer ng silicon carbide sa ibabaw ng highly purified isotropic graphite. Nakamit ito sa pamamagitan ng proseso ng pagmamay-ari ng Chemical Vapor Deposition (CVD) ng VeTeK Semiconductor.

Ang LPE Si Epi Susceptor Set ng VeTek Semiconductor ay isang CVD epitaxial deposition barrel reactor na idinisenyo upang gumanap nang maaasahan kahit sa mga mapanghamong kondisyon. Ang pambihirang coating adhesion nito, paglaban sa mataas na temperatura na oksihenasyon, at kaagnasan ay ginagawa itong perpektong pagpipilian para sa malupit na kapaligiran. Bukod dito, ang pare-parehong thermal profile nito at ang pattern ng daloy ng laminar gas ay pumipigil sa kontaminasyon, na tinitiyak ang paglaki ng mga de-kalidad na epitaxial layer.

Ang hugis-barrel na disenyo ng aming semiconductor epitaxial reactor ay nag-o-optimize sa daloy ng gas, na tinitiyak na ang init ay pantay na namamahagi. Ang tampok na ito ay epektibong pinipigilan ang kontaminasyon at ang pagsasabog ng mga dumi, na ginagarantiyahan ang paggawa ng mga de-kalidad na epitaxial layer sa mga substrate ng wafer.

Sa VeTek Semiconductor, nakatuon kami sa pagbibigay sa mga customer ng mga de-kalidad at matipid na produkto. Ang aming LPE Si Epi Susceptor Set ay nag-aalok ng mapagkumpitensyang pagpepresyo habang pinapanatili ang mahusay na density para sa parehong graphite substrate at silicon carbide coating. Tinitiyak ng kumbinasyong ito ang maaasahang proteksyon sa mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na mga kapaligiran sa pagtatrabaho.

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating:

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating
Ari-arian	Tipikal na halaga
Istraktura ng Kristal	FCC β phase polycrystalline, higit sa lahat (111) oriented
Densidad	3.21 g/cm³
Katigasan	2500 Vickers tigas（500g load）
Laki ng Butil	2~10μm
Kalinisan ng Kemikal	99.99995%
Kapasidad ng init	640 J·kg-1·K-1
Temperatura ng Sublimation	2700 ℃
Flexural na Lakas	415 MPa RT 4-point
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
Thermal Conductivity	300W·m-1·K-1
Thermal Expansion(CTE)	4.5×10-6K-1