SiC Coated Epi Receptor

Bilang nangungunang domestic manufacturer ng silicon carbide at tantalum carbide coatings, ang VeTek Semiconductor ay nakakapagbigay ng precision machining at uniform coating ng SiC Coated Epi Susceptor, na epektibong kinokontrol ang kadalisayan ng coating at produkto sa ibaba 5ppm. Ang buhay ng produkto ay maihahambing sa buhay ng SGL. Maligayang pagdating upang magtanong sa amin.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Makakatiyak kang bumili ng SiC Coated Epi Susceptor mula sa aming pabrika.

Ang VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor ay Epitaxial barrel ay isang espesyal na tool para sa semiconductor epitaxial growth process na may maraming mga pakinabang:

Mahusay na kapasidad ng produksyon: Ang SiC Coated Epi Susceptor ay maaaring tumanggap ng maraming mga wafer, na ginagawang posible upang maisagawa ang epitaxial growth ng maraming mga wafer nang sabay-sabay. Ang mahusay na kapasidad ng produksyon na ito ay maaaring lubos na mapabuti ang kahusayan sa produksyon at mabawasan ang mga siklo at gastos ng produksyon.

Na-optimize na kontrol sa temperatura: Ang SiC Coated Epi Susceptor ay nilagyan ng advanced na temperatura control system upang tumpak na makontrol at mapanatili ang nais na temperatura ng paglago. Ang matatag na kontrol sa temperatura ay nakakatulong upang makamit ang pare-parehong paglaki ng epitaxial layer at pagbutihin ang kalidad at pagkakapare-pareho ng epitaxial layer.

Uniform na pamamahagi ng atmosphere: Ang SiC Coated Epi Susceptor ay nagbibigay ng pare-parehong pamamahagi ng atmosphere sa panahon ng paglaki, na tinitiyak na ang bawat wafer ay nakalantad sa parehong mga kundisyon ng atmosphere. Nakakatulong ito na maiwasan ang mga pagkakaiba sa paglaki sa pagitan ng mga wafer at pinapabuti ang pagkakapareho ng epitaxial layer.

Epektibong kontrol sa karumihan: Ang disenyo ng SiC Coated Epi Susceptor ay nakakatulong na bawasan ang pagpapakilala at pagsasabog ng mga dumi. Maaari itong magbigay ng mahusay na sealing at kontrol sa kapaligiran, bawasan ang epekto ng mga impurities sa kalidad ng epitaxial layer, at sa gayon ay mapabuti ang pagganap at pagiging maaasahan ng device.

Flexible na proseso ng pagbuo: Ang SiC Coated Epi Susceptor ay may kakayahang umangkop sa proseso ng pagbuo ng mga kakayahan na nagbibigay-daan sa mabilis na pagsasaayos at pag-optimize ng mga parameter ng paglago. Binibigyang-daan nito ang mga mananaliksik at inhinyero na magsagawa ng mabilis na pag-unlad ng proseso at pag-optimize upang matugunan ang mga pangangailangan sa paglago ng epitaxial ng iba't ibang mga aplikasyon at kinakailangan.

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating:

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating
Ari-arian	Tipikal na halaga
Istraktura ng Kristal	FCC β phase polycrystalline, higit sa lahat (111) oriented
Densidad	3.21 g/cm³
Katigasan	2500 Vickers tigas（500g load）
Laki ng Butil	2~10μm
Kalinisan ng Kemikal	99.99995%
Kapasidad ng init	640 J·kg-1·K-1
Temperatura ng Sublimation	2700 ℃
Flexural na Lakas	415 MPa RT 4-point
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
Thermal Conductivity	300W·m-1·K-1
Thermal Expansion(CTE)	4.5×10-6K-1