Ang VeTek Semiconductor ay isang nangungunang tagagawa at innovator ng Solid SiC Gas Shower Head sa China. Dalubhasa kami sa materyal na semiconductor sa loob ng maraming taon. Tinitiyak ng multi-porosity na disenyo ng VeTek Semiconductor Solid SiC Gas Shower Head na ang init na nabuo sa proseso ng CVD , tinitiyak na ang substrate ay pinainit nang pantay-pantay. Inaasahan namin ang pag-set up ng pangmatagalang kasama mo sa China.
Ang VeTek Semiconductor ay isang pinagsamang kumpanya na nakatuon sa pananaliksik, produksyon, at pagbebenta. Sa mahigit 20 taong karanasan, dalubhasa ang aming team sa SiC, TaC coatings, at CVD Solid SiC. Maligayang pagdating sa pagbili mula sa amin ng Solid SiC Gas Shower Head.
Ang VeTek Semiconductor Solid SiC Gas Shower Head ay karaniwang ginagamit upang pantay na ipamahagi ang mga precursor gas sa ibabaw ng substrate sa panahon ng mga proseso ng semiconductor CVD. Ang paggamit ng materyal na CVD-SiC para sa mga shower head ay nag-aalok ng ilang mga pakinabang. Ang mataas na thermal conductivity nito ay tumutulong sa pag-alis ng init na nabuo sa proseso ng CVD, na tinitiyak ang pare-parehong pamamahagi ng temperatura sa substrate. Bukod pa rito, ang chemical stability ng Solid SiC Gas Shower Head ay nagbibigay-daan dito na makatiis ng mga corrosive na gas at malupit na kapaligiran na karaniwang nakikita sa mga proseso ng CVD. Ang disenyo ng CVD-SiC shower head ay maaaring iayon sa mga partikular na CVD system at mga kinakailangan sa proseso. Gayunpaman, kadalasang binubuo ang mga ito ng isang plato o hugis-disk na bahagi na may isang serye ng mga butas o mga puwang ng precision-drilled. Ang pattern ng butas at geometry ay maingat na idinisenyo upang matiyak ang pare-parehong pamamahagi ng gas at bilis ng daloy sa ibabaw ng substrate.
Mga pisikal na katangian ng Solid SiC | |||
Densidad | 3.21 | g/cm3 | |
Resistivity sa kuryente | 102 | Ω/cm | |
Flexural na Lakas | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
Modulus ni Young | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
Katigasan ng Vickers | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
C.T.E.(RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Thermal Conductivity(RT) | 250 | W/mK |