Aixtron Satellite wafer carrier

Ang Aixtron Satellite Wafer Carrier ay isang mahalagang bahagi ng AIXTRON MOCVD equipment, espesyal na ginagamit upang magdala ng mga wafer para sa epitaxial growth. Ito ay partikular na angkop para sapaglaki ng epitaxialproseso ng GaN at silicon carbide (SiC) na mga aparato. Ang natatanging disenyo ng "satellite" nito ay hindi lamang nagsisiguro sa pagkakapareho ng daloy ng gas, ngunit pinapabuti din ang pagkakapareho ng pagtitiwalag ng pelikula sa ibabaw ng wafer.

kay Aixtronmga tagadala ng ostiyaay karaniwang gawa sasilikon karbid (SiC)o CVD-coated graphite. Kabilang sa mga ito, ang silicon carbide (SiC) ay may mahusay na thermal conductivity, mataas na temperatura na pagtutol at mababang thermal expansion coefficient. Ang CVD coated graphite ay graphite na pinahiran ng silicon carbide film sa pamamagitan ng isang chemical vapor deposition (CVD) na proseso, na maaaring mapahusay ang resistensya ng kaagnasan at mekanikal na lakas nito. Ang SiC at mga coated graphite na materyales ay maaaring makatiis ng mga temperatura hanggang 1,400°C–1,600°C at may mahusay na thermal stability sa mataas na temperatura, na kritikal para sa proseso ng paglago ng epitaxial.

Ang Aixtron Satellite Wafer Carrier ay pangunahing ginagamit upang dalhin at paikutin ang mga wafer saProseso ng MOCVDupang matiyak ang pare-parehong daloy ng gas at pare-parehong pagtitiwalag sa panahon ng paglaki ng epitaxial.Ang mga tiyak na pag-andar ay ang mga sumusunod:

Wafer rotation at pare-parehong deposition: Sa pamamagitan ng pag-ikot ng Aixtron Satellite Carrier, maaaring mapanatili ng wafer ang matatag na paggalaw sa panahon ng paglaki ng epitaxial, na nagpapahintulot sa gas na dumaloy nang pantay-pantay sa ibabaw ng wafer upang matiyak ang pare-parehong pagdeposito ng mga materyales.

Mataas na temperatura tindig at katatagan: Ang silicone carbide o coated graphite na materyales ay maaaring makatiis ng mga temperatura hanggang 1,400°C–1,600°C. Tinitiyak ng tampok na ito na ang wafer ay hindi magde-deform sa panahon ng mataas na temperatura na paglaki ng epitaxial, habang pinipigilan ang thermal expansion ng carrier mismo na maapektuhan ang proseso ng epitaxial.

Nabawasan ang pagbuo ng butil: Ang mga de-kalidad na materyales sa carrier (tulad ng SiC) ay may makinis na mga ibabaw na nagpapababa ng pagbuo ng particle sa panahon ng pagdedeposito ng singaw, at sa gayon ay pinapaliit ang posibilidad ng kontaminasyon, na kritikal para sa paggawa ng mataas na kadalisayan, mataas na kalidad na mga semiconductor na materyales.

Available ang Aixtron Satellite Wafer Carrier ng VeTek Semiconductor sa 100mm, 150mm, 200mm at kahit na mas malalaking sukat ng wafer, at maaaring magbigay ng mga customized na serbisyo ng produkto batay sa iyong kagamitan at mga kinakailangan sa proseso. Taos-puso kaming umaasa na maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

SEM DATA NG CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE：

Aixtron Satellite wafer carrier Mga tindahan ng produksyon:

Pangkalahatang-ideya ng chain ng industriya ng semiconductor chip epitaxy: