Mga Susceptor ng Aixtron G5 MOCVD

Ang VeTek Semiconductor ay isang nangungunang tagagawa at innovator ng Aixtron G5 MOCVD Susceptors sa China. Kami ay dalubhasa sa SiC coating material sa loob ng maraming taon. Ang Aixtron G5 MOCVD Susceptors kit na ito ay isang versatile at mahusay na solusyon para sa paggawa ng semiconductor na may pinakamainam na laki, compatibility, at mataas na produktibidad. Maligayang pagdating sa pagtatanong sa amin.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Bilang propesyonal na tagagawa, ang VeTek Semiconductor ay gustong magbigay sa iyo ng Aixtron G5 MOCVD Susceptors tulad ng Axtron Epitaxy, Pinahiran ng SiCmga bahagi ng grapayt at Pinahiran ng TaCmga bahagi ng grapayt. Maligayang pagdating sa pagtatanong sa amin.

Ang Aixtron G5 ay isang deposition system para sa compound semiconductors. Gumagamit ang AIX G5 MOCVD ng isang production customer na napatunayang AIXTRON planetary reactor platform na may fully automated cartridge (C2C) wafer transfer system. Nakamit ang pinakamalaking single cavity size ng industriya (8 x 6 inches) at pinakamalaking production capacity. Nag-aalok ito ng flexible na 6 - at 4-inch na configuration na idinisenyo upang mabawasan ang mga gastos sa produksyon habang pinapanatili ang mahusay na kalidad ng produkto. Ang warm wall planetary CVD system ay nailalarawan sa pamamagitan ng paglaki ng maramihang mga plato sa iisang pugon, at ang kahusayan ng output ay mataas.

Nag-aalok ang VeTek Semiconductor ng kumpletong hanay ng mga accessory para sa Aixtron G5 MOCVD Susceptor system, na binubuo ng mga accessory na ito:

Thrust Piece, Anti-Rotate	Singsing sa Pamamahagi	Kisame	Holder, Ceiling, Insulated	Cover Plate, Panlabas
Cover Plate, Panloob	Takip Singsing	Disc	Pulldown Cover Disc	Pin
Pin-washer	Planetary Disc	Puwang ng Singsing sa Inlet ng Kolektor	Exhaust Collector Upper	Shutter
Sinusuportahang Ring	Suporta sa Tube

Aixtron G5 MOCVD Susceptor

CVD SiC Film Crystal Structure:

CVD SIC FILM CRASTAL STRUCTURE

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating:

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating
Ari-arian	Karaniwang Halaga
Istraktura ng Kristal	FCC β phase polycrystalline, higit sa lahat (111) oriented
Densidad	3.21 g/cm³
Katigasan	2500 Vickers tigas（500g load）
Laki ng Butil	2~10μm
Kadalisayan ng Kemikal	99.99995%
Kapasidad ng init	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura ng Sublimation	2700 ℃
Flexural na Lakas	415 MPa RT 4-point
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
Thermal Conductivity	300W·m^-1·K^-1
Thermal Expansion(CTE)	4.5×10^-6·K^-1