Ultra Pure Silicon Carbide Powder para sa Crystal Growth

Bilang propesyonal na tagagawa, nais ng VeTek Semiconductor na magbigay sa iyo ng mataas na kalidad na Ultra Pure Silicon Carbide Powder para sa Crystal Growth.

Dalubhasa ang VeTek Semiconductor sa pagbibigay ng Ultra Pure Silicon Carbide Powder para sa Crystal Growth na may iba't ibang antas ng kadalisayan. Makipag-ugnayan sa amin ngayon para matuto pa at makatanggap ng quotation. Itaas ang iyong pananaliksik at pagpapaunlad ng semiconductor gamit ang mga de-kalidad na produkto ng VeTek Semiconductor.

Ang VeTek Semiconductor Ultra Pure Silicon Carbide Powder para sa Crystal Growth ay inihanda gamit ang high-temperature solid-phase reaction method, gamit ang high-purity na silicon powder at high-purity na carbon powder bilang hilaw na materyales. May kadalisayan na hanggang 99.999% wt at napakababang antas ng karumihan ng nitrogen, boron, aluminyo, at iba pang mga contaminant, partikular itong idinisenyo upang pahusayin ang mga semi-insulating na katangian ng high-purity na silicon carbide.

Ang kadalisayan ng aming semiconductor-grade silicon carbide powder ay umabot sa isang kahanga-hangang 99.999%, na ginagawa itong isang mahusay na hilaw na materyal para sa produksyon ng mga silicon carbide na solong kristal. Ang pinagkaiba ng aming produkto mula sa iba sa merkado ay ang kahanga-hangang katangian nito ng mabilis na paglaki ng kristal. Sa mga rate ng paglago ng kristal na umaabot sa 0.2-0.3 mm/h, makabuluhang binabawasan nito ang oras ng paglago ng kristal at pinabababa ang kabuuang gastos sa produksyon.

Ang kalidad ng silicon carbide powder ay mahalaga para sa pagkamit ng mataas na crystal growth yield at nangangailangan ng tumpak na proseso ng pagmamanupaktura. Ang aming teknolohiya ay nagsasangkot ng thermal separation sa iba't ibang yugto upang alisin ang mga dumi ng iba't ibang katangian, na nagreresulta sa high-purity semi-insulating silicon carbide powder na may mababang nitrogen content. Sa pamamagitan ng karagdagang pagproseso ng pulbos sa mga butil at paggamit ng mga thermal cycling technique, natutugunan namin ang mga kinakailangan sa dimensional na paglaki ng mga silicon carbide crystal. Nilalayon ng teknolohiyang ito na pahusayin ang mga kakayahan sa domestic advanced na semiconductor research, pagbutihin ang materyal na self-sufficiency, tugunan ang mga internasyunal na monopolyo, at bawasan ang mga gastos sa pagmamanupaktura sa domestic silicon carbide semiconductor na industriya, na sa huli ay nagpapataas ng global competitiveness nito.

Tindahan ng Produksyon ng VeTek Semiconductor