SiC Coated MOCVD Susceptor

Ang SiC Coated MOCVD Susceptor ng VeTek Semiconductor ay isang device na may mahusay na proseso, tibay at pagiging maaasahan. Maaari silang makatiis ng mataas na temperatura at mga kemikal na kapaligiran, mapanatili ang matatag na pagganap at mahabang buhay, sa gayon ay binabawasan ang dalas ng pagpapalit at pagpapanatili at pagpapabuti ng kahusayan sa produksyon. Ang aming MOCVD Epitaxial Susceptor ay kilala sa mataas nitong density, mahusay na flatness at mahusay na thermal control, na ginagawa itong mas gustong kagamitan sa malupit na kapaligiran sa pagmamanupaktura. Inaasahan ang pakikipagtulungan sa iyo.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Maghanap ng malaking seleksyon ng SiC CoatedTagatanggap ng MOCVDmula sa China sa VeTek Semiconductor. Magbigay ng propesyonal na serbisyo pagkatapos ng benta at ang tamang presyo, umaasa sa pakikipagtulungan.

Ang VeTek Semiconductor'sMga Epitaxial Susceptor ng MOCVDay idinisenyo upang mapaglabanan ang mataas na temperatura na kapaligiran at malupit na kondisyon ng kemikal na karaniwan sa proseso ng paggawa ng wafer. Sa pamamagitan ng precision engineering, ang mga bahaging ito ay iniakma upang matugunan ang mahigpit na mga kinakailangan ng epitaxial reactor system. Ang aming MOCVD Epitaxial Susceptors ay gawa sa mga de-kalidad na graphite substrates na pinahiran ng isang layer ngsilikon karbid (SiC), na hindi lamang may mahusay na mataas na temperatura at paglaban sa kaagnasan, ngunit tinitiyak din ang pare-parehong pamamahagi ng init, na kritikal sa pagpapanatili ng pare-parehong epitaxial film deposition.

Bilang karagdagan, ang aming mga susceptor ng semiconductor ay may mahusay na pagganap ng thermal, na nagbibigay-daan para sa mabilis at pare-parehong kontrol ng temperatura upang ma-optimize ang proseso ng paglago ng semiconductor. Nagagawa nilang mapaglabanan ang pag-atake ng mataas na temperatura, oksihenasyon, at kaagnasan, na tinitiyak ang maaasahang operasyon kahit na sa mga pinaka-mapanghamong kapaligiran sa pagpapatakbo.

Bilang karagdagan, ang SiC Coated MOCVD Susceptors ay idinisenyo na may pagtuon sa pagkakapareho, na kritikal sa pagkamit ng mga de-kalidad na solong kristal na substrate. Ang pagkamit ng flatness ay mahalaga upang makamit ang mahusay na solong paglaki ng kristal sa ibabaw ng wafer.

Sa VeTek Semiconductor, ang aming hilig sa paglampas sa mga pamantayan ng industriya ay kasinghalaga ng aming pangako sa pagiging epektibo sa gastos para sa aming mga kasosyo. Nagsusumikap kaming magbigay ng mga produkto tulad ng MOCVD Epitaxial Susceptor upang matugunan ang patuloy na pagbabago ng mga pangangailangan ng paggawa ng semiconductor at asahan ang mga trend ng pag-unlad nito upang matiyak na ang iyong operasyon ay nilagyan ng mga pinaka advanced na tool. Inaasahan namin ang pagbuo ng pangmatagalang pakikipagsosyo sa iyo at pagbibigay sa iyo ng mga de-kalidad na solusyon.

Parameter ng produkto ng SiC Coated Tagatanggap ng MOCVD:

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating
Ari-arian	Karaniwang Halaga
Istraktura ng Kristal	FCC β phase polycrystalline, higit sa lahat (111) oriented
Densidad	3.21 g/cm³
Katigasan	2500 Vickers tigas（500g load）
Laki ng Butil	2~10μm
Kadalisayan ng Kemikal	99.99995%
Kapasidad ng init	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura ng Sublimation	2700 ℃
Flexural na Lakas	415 MPa RT 4-point
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
Thermal Conductivity	300W·m^-1·K^-1
Thermal Expansion(CTE)	4.5×10^-6K^-1