> Balita > Balita sa Industriya

Balita sa Industriya

Semiconductor substrate wafer: Materyal na katangian ng silicon, GaAs, SiC at GaN

Sinusuri ng artikulo ang mga materyal na katangian ng semiconductor substrate wafers tulad ng silicon, GaAs, SiC at GaN

GaN-based na teknolohiyang low-temperature epitaxy

Pangunahing inilalarawan ng artikulong ito ang teknolohiyang epitaxial na may mababang temperatura na nakabase sa GaN, kabilang ang istrukturang kristal ng mga materyales na nakabatay sa GaN, 3. mga kinakailangan sa teknolohiyang epitaxial at mga solusyon sa pagpapatupad, ang mga bentahe ng teknoloh......

Magbasa pa

Ano ang pagkakaiba sa pagitan ng CVD TaC at sintered TaC?

Ang artikulong ito ay unang ipinakilala ang molekular na istraktura at pisikal na katangian ng TaC, at nakatuon sa mga pagkakaiba at aplikasyon ng sintered tantalum carbide at CVD tantalum carbide, pati na rin ang mga sikat na produkto ng TaC coating ng VeTek Semiconductor.

Magbasa pa

<...3 4 5 6 7...10 >

Balita sa Industriya

Semiconductor substrate wafer: Materyal na katangian ng silicon, GaAs, SiC at GaN

GaN-based na teknolohiyang low-temperature epitaxy

Ano ang pagkakaiba sa pagitan ng CVD TaC at sintered TaC?

Paano maghanda ng CVD TaC coating?

Ano ang Tantalum Carbide Coating?

Bakit ang SiC coating ay isang pangunahing pangunahing materyal para sa paglago ng SiC epitaxial?