> Balita > Balita sa Industriya

Balita sa Industriya

Ang mga kumpanyang Tsino ay iniulat na gumagawa ng 5nm chips sa Broadcom!

Ayon sa mga balita sa ibang bansa, dalawang source ang nagpahayag noong Hunyo 24 na ang ByteDance ay nakikipagtulungan sa US chip design company na Broadcom para bumuo ng isang advanced na artificial intelligence (AI) computing processor, na tutulong sa ByteDance na matiyak ang sapat na supply ng hi......

Magbasa pa

Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: Ang 8-pulgadang SiC chips ay inaasahang ilalagay sa produksyon sa Disyembre!

Bilang isang nangungunang tagagawa sa industriya ng SiC, ang mga nauugnay na dinamika ng Sanan Optoelectronics ay nakatanggap ng malawakang atensyon sa industriya. Kamakailan, isiniwalat ng Sanan Optoelectronics ang isang serye ng mga pinakabagong pag-unlad, na kinasasangkutan ng 8-pulgadang pagbaba......

Magbasa pa

Application ng TaC-Coated Graphite Parts sa Single Crystal Furnaces

Sa paglaki ng SiC at AlN single crystals gamit ang physical vapor transport (PVT) na paraan, ang mga mahahalagang bahagi tulad ng crucible, seed holder, at guide ring ay may mahalagang papel. Gaya ng inilalarawan sa Figure 2 [1], sa panahon ng proseso ng PVT, ang seed crystal ay nakaposisyon sa mas ......

Magbasa pa

Iba't ibang mga teknikal na ruta ng SiC epitaxial growth furnace

Ang mga substrate ng silicone carbide ay may maraming mga depekto at hindi direktang maproseso. Ang isang partikular na solong kristal na manipis na pelikula ay kailangang lumaki sa kanila sa pamamagitan ng isang prosesong epitaxial upang makagawa ng mga chip wafer. Ang manipis na pelikula na ito ay......

Magbasa pa

Materyal ng silicon carbide epitaxy

Ang materyal ng silicon carbide epitaxial layer ay silicon carbide, na kadalasang ginagamit sa paggawa ng mga high-power na electronic device at LED. Ito ay malawakang ginagamit sa industriya ng semiconductor dahil sa mahusay na thermal stability, mekanikal na lakas at mataas na electrical conductiv......

Magbasa pa

Mga katangian ng silicon epitaxy

Mataas na kadalisayan: Ang silicon na epitaxial layer na pinalaki ng chemical vapor deposition (CVD) ay may napakataas na kadalisayan, mas mahusay na flatness sa ibabaw at mas mababang density ng depekto kaysa sa tradisyonal na mga wafer.

Magbasa pa

<...6 7 8 9 10 >