CVD TaC coated three-petal guide ring

Ang VeTek Semiconductor ay nakaranas ng maraming taon ng teknolohikal na pag-unlad at pinagkadalubhasaan ang nangungunang teknolohiya sa proseso ng CVD TaC coating. Ang CVD TaC coated three-petal guide ring ay isa sa pinaka-mature na CVD TaC coating na produkto ng VeTek Semiconductor at isang mahalagang bahagi para sa paghahanda ng mga SiC crystal sa pamamagitan ng PVT method. Sa tulong ng VeTek Semiconductor, naniniwala ako na ang iyong SiC crystal production ay magiging mas maayos at mas mahusay.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Silicon carbide solong kristal substrate materyal ay isang uri ng kristal na materyal, na kabilang sa malawak na bandgap semiconductor materyal. Ito ay may mga bentahe ng mataas na boltahe na paglaban, mataas na temperatura na pagtutol, mataas na dalas, mababang pagkawala, atbp. Ito ay isang pangunahing materyal para sa paghahanda ng mga high-power na elektronikong aparato at microwave radio frequency device. Sa kasalukuyan, ang mga pangunahing pamamaraan para sa paglaki ng mga kristal ng SiC ay ang pisikal na transportasyon ng singaw (paraan ng PVT), mataas na temperatura na pag-deposito ng singaw ng kemikal (paraan ng HTCVD), pamamaraan ng likidong phase, atbp.

Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

Ang pamamaraan ng PVT ay isang medyo mature na pamamaraan na mas angkop para sa pang-industriyang mass production. Sa pamamagitan ng paglalagay ng SiC seed crystal sa tuktok ng crucible at paglalagay ng SiC powder bilang hilaw na materyal sa ilalim ng crucible, sa isang saradong kapaligiran na may mataas na temperatura at mababang presyon, ang SiC powder ay nag-sublimate at inililipat paitaas sa paligid. ng buto kristal sa ilalim ng pagkilos ng temperatura gradient at pagkakaiba sa konsentrasyon, at recrystallizes pagkatapos maabot ang supersaturated estado, ang nakokontrol na paglago ng SiC kristal laki at tiyak na uri ng kristal ay maaaring makamit.

Ang pangunahing function ng CVD TaC coated three-petal guide ring ay upang mapabuti ang fluid mechanics, gabayan ang daloy ng gas, at tulungan ang crystal growth area na makakuha ng pare-parehong kapaligiran. Ito rin ay epektibong nagpapalabas ng init at nagpapanatili ng gradient ng temperatura sa panahon ng paglaki ng mga kristal na SiC, sa gayon ay na-optimize ang mga kondisyon ng paglago ng mga kristal ng SiC at iniiwasan ang mga depekto ng kristal na dulot ng hindi pantay na pamamahagi ng temperatura.

Napakahusay na pagganap ng CVD TaC coating

● Napakataas na kadalisayan: Iniiwasan ang pagbuo ng mga dumi at kontaminasyon.

● Mataas na katatagan ng temperatura: Ang mataas na temperatura na katatagan sa itaas 2500°C ay nagbibigay-daan sa napakataas na temperatura na operasyon.

● Pagpapahintulot sa kapaligiran ng kemikal: Pagpapahintulot sa H(2), NH(3), SiH(4) at Si, na nagbibigay ng proteksyon sa malupit na kemikal na kapaligiran.

● Mahabang buhay na walang nalalagas: Ang malakas na pagbubuklod sa katawan ng grapayt ay maaaring matiyak ang mahabang ikot ng buhay nang hindi nalalagas ang panloob na patong.

● Thermal shock resistance: Ang thermal shock resistance ay nagpapabilis sa ikot ng operasyon.

●Mahigpit na dimensional tolerance: Tinitiyak na ang saklaw ng coating ay nakakatugon sa mga mahigpit na pagpapaubaya sa dimensyon.

Ang VeTek Semiconductor ay may isang propesyonal at mature na technical support team at sales team na maaaring iangkop ang mga pinakaangkop na produkto at solusyon para sa iyo. Mula sa pre-sales hanggang after-sales, ang VeTek Semiconductor ay palaging nakatuon sa pagbibigay sa iyo ng pinakakumpleto at komprehensibong mga serbisyo.

Mga pisikal na katangian ng TaC coating

Mga pisikal na katangian ng TaC coating
Densidad ng patong ng TaC	14.3 (g/cm³)
Tukoy na emissivity	0.3
Thermal expansion coefficient	6.3 10^-6/K
TaC coating Hardness (HK)	2000 HK
Paglaban	1×10^-5Ohm*cm
Thermal na katatagan	<2500℃
Mga pagbabago sa laki ng graphite	-10~-20um
Kapal ng patong	≥20um karaniwang halaga (35um±10um)
Thermal conductivity	9-22(W/m·K)